INNOPELシンポジウム2023　3年間の成果と今後の展望
革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業
（Innovative Power Electronics Technologies：INNOPEL）

2024年2月28日（水） 10:00～19:00　※終了しました

ハイブリッド開催（会場　300名　／　オンライン　500名）

文部科学省　3階　第1講堂
（〒100-8959　東京都千代田区霞が関3丁目2番2号）

文部科学省

株式会社三菱総合研究所

無料

開会挨拶

文部科学省　研究開発局

革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業の概要について

大森 達夫　プログラムディレクター（PD）

研究テーマの成果報告① 【受動素子領域】

磁気異方性軟磁性材料を用いた高周波・電力変換用トランス・インダクタの開発

水野 勉　テーマリーダー（信州大学）

次世代パワエレに向けた高磁束密度・低損失磁性材料およびデバイス創成への挑戦 2.0

岡本 聡　テーマリーダー（NIMS／東北大学）

次世代高電力密度パワエレ機器に向けた高性能固体コンデンサの開発

幅崎 浩樹　テーマリーダー（北海道大学）

研究テーマの成果報告② 【次々世代・周辺技術領域】

次々世代パワエレ用高飽和磁束密度窒化鉄の研究

齊藤 伸　テーマリーダー（東北大学）

次々世代パワエレ用受動素子の創製に向けた革新的高誘電率常誘電体の開発

谷口 博基　テーマリーダー（名古屋大学）

革新パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド半導体基盤技術検証

竹内 大輔　テーマリーダー（産業技術総合研究所）

GaN PSJ HEMT／SiC ハイブリッドデバイスの開発

原田 信介　テーマリーダー（産業技術総合研究所）

昼休憩

ポスターセッション

（各研究テーマから数件程度の発表を予定　※現地のみ開催）

研究テーマの成果報告③

【パワーデバイス領域】

社会実装を目指したGaN縦型パワーデバイス作製技術の確立

天野 浩　テーマリーダー（名古屋大学）

【次々世代・周辺技術領域】

走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたGaN-MOSの高性能化に資する計測評価

長 康雄　テーマリーダー（東北大学）

非基底面NO窒化SiC MOS界面と信頼性の評価

渡部 平司　テーマリーダー（大阪大学）

新規ルツボフリー結晶成長法を用いたβ-Ga2O3 単結晶育成

吉川 彰　テーマリーダー（東北大学）

研究テーマの成果報告④

【パワエレ回路システム領域】

脱炭素社会実現に向けた集積化パワーエレクトロニクスの研究開発

高橋 良和　テーマリーダー（東北大学）

高効率SST実現に向けた回路・制御・実装技術

和田 圭二　テーマリーダー（東京都立大学）

【次々世代・周辺技術領域】

GaNデバイスで拓く超高周波パワーコンバータの開発

佐藤 之彦　テーマリーダー（千葉大学）

受動素子技術ロードマップの検討について

山口 正洋　プログラムオフィサー（PO）／　清水 敏久　プログラムオフィサー（PO）

閉会挨拶

大森 達夫　プログラムディレクター（PD）

会場参加　300名　／　オンライン参加　500名　※先着順

無料